LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究

摘要

介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，