异质外延用硅单晶片边缘质量控制技术研究

摘要

异质外延在LED、高性能光电集成电路(OEIC)等多种领域存在广泛应用.Si基衬底由于具有优良性能,广受关注.Si基衬底异质外延时,由于Si与异质外延层之间的晶格失配和热失配,一般需要在衬底上生长一层缓冲层,而后在缓冲层上生长异质外延层.Si衬底损伤层对缓冲层成核具有较大的影响,进而对异质外延层造成重大影响.本文以硅单晶片边缘质量控制为切入点,开展了异质外延用硅单晶片的研究.