一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法

摘要

本发明涉及一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法。砂轮粗倒角槽直径比晶片厚度小120～150μm，半角度18～22°，深度1000±100μm，金刚石粒度600～1000#；精倒角槽直径比晶片厚度小160~180μm，半角度11°，深度1500±100μm，金刚石粒度1000~2000#。粗倒角砂轮转速2500～5000rpm；加工1～2圈；晶片转速16～20mm/s；精倒角砂轮转速3000～5000rpm；加工2～4圈；晶片转速10～15mm/s。采用本发明对晶片边缘倒角，边缘轮廓精度高，边缘质量一致性好，有效解决厚层外延生长过程中因硅片边缘缺陷导致的滑移线问题。