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公开/公告号CN108345808B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201710056961.8
发明设计人 金廷秀;郑凤吉;
申请日2017-01-25
分类号G06F21/79(20130101);G06F13/16(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人李敬文
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 12:53:41
机译: 包括CNT的非易失性存储器件,非易失性存储器件的制造方法,包括CNT和可穿戴设备,涉及包括CNT的非易失性存储器件
机译: 在浮栅的侧壁上包括双隔离物的非易失性存储器件,包括该非易失性存储器件的电子器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译: 非易失性存储器件,非易失性存储器设备的操作方法,以及包括非易失性存储器件的存储设备
机译:对有机高分子存储器件中带有金属薄层的非易失性存储器件中载流子行为的研究
机译:非易失性电压可调铁电超导量子干扰存储器件
机译:基于聚合物的非易失性电阻随机存取存储器件制造,具有多级开关和负差分电阻状态
机译:分裂门非易失性存储器件中擦除栅氧化物的可靠性和击穿研究
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:基于铜酞菁的非易失性存储器件薄膜
机译:用于可重写非易失性存储器件的大面积配位聚合物膜的界面合成
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。