侧墙结构的制造方法、侧墙结构及半导体器件

摘要

本发明涉及侧墙结构的制造方法、侧墙结构及半导体器件，涉及半导体集成电路制造技术，在侧墙的形成过程中，通过首先沉积一层氧化硅层和氮化硅层，然后进行第一次刻蚀工艺，刻蚀掉多晶硅栅结构顶部的氮化硅层，形成初始侧墙，然后继续沉积一层氮化硅层，再对氮化硅层进行刻蚀，形成二次侧墙，氧化硅层、初始侧墙和二次侧墙共同构成侧墙结构，如此可在保证侧墙厚度的同时，不会造成相邻侧墙底部连接的问题，且能获得较好的晶圆面内均一性，且工艺过程简单，易控制，成本低廉。