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光刻系统、EUV辐射源、光刻扫描设备和控制系统

摘要

光刻系统(100)包括用于产生EUV辐射的EUV辐射源;以及光刻扫描设备,其使用EUV辐射来照射图案以将图案成像到衬底上;和控制系统(280)。EUV辐射源包括用于提供表示EUV辐射的空间强度分布的感测信号(272)的感测系统(270)。控制系统用于基于感测信号确定表示EUV辐射的远场强度分布的量,并基于所确定的表示远场强度分布的量确定用于控制所述照射和所述产生中的至少一者的控制信号(282)。

著录项

  • 公开/公告号CN110462522B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201880019502.5

  • 申请日2018-02-22

  • 分类号G03F7/20(20060101);H05G2/00(20060101);G01J1/42(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人张启程

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2022-08-23 12:35:36

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