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公开/公告号CN113030688B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院国家空间科学中心;
申请/专利号CN202110255495.2
发明设计人 马英起;陈钱;韩建伟;朱翔;上官士鹏;
申请日2021-03-09
分类号G01R31/265(20060101);
代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王颖
地址 100190 北京市海淀区中关村南二条1号
入库时间 2022-08-23 12:34:59
机译: 确定半导体器件剂量率等效激光测试中与位置有关的金属校正因子的方法
机译: 基于激光的辐照设备和方法,用于测量半导体器件的功能剂量率响应
机译: 基于激光的辐照设备和用于监视半导体器件的剂量率响应的方法
机译:集成电路和半导体器件中剂量率效应的激光模拟足够性的实验研究
机译:高k电介质中的瞬态双载流子响应及其对高k互补金属氧化物半导体器件中瞬态电荷效应的影响
机译:半导体纳米器件中具有3D电离轨迹的瞬态辐射效应的多尺度仿真模型
机译:模拟半导体材料剂量率效应的激光辐射研究
机译:功率半导体器件上的瞬态电热建模
机译:具有生物相容性且完全可崩解的半导体聚合物用于超薄和超轻型瞬态电子器件
机译:使用激光器在半导体器件和电路中模拟辐射引起的瞬态
机译:高剂量率双极器件瞬态电离辐射效应模拟