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半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统

摘要

本发明公开一种半导体器件瞬态剂量率效应激光模拟装置及评估系统,包括:激光产生和控制模块、光路模块、检测模块、载物模块和上位机;激光产生和控制模块,用于产生脉冲激光,并对脉冲激光往光学模块传播进行控制;光路模块,用于调制激光产生和控制模块输入的脉冲激光,对激光光斑进行调节控制和测量,对激光能量进行调节控制和测量,将调制后的脉冲激光辐照到半导体器件上;检测模块,用于对半导体器件进行供电和功能测试以及辐照后的电学参数测量。采用本发明技术方案,可以提高激光模拟的准确性,同时可以对激光模拟瞬态剂量率效应进行定量评估。

著录项

  • 公开/公告号CN113030688B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院国家空间科学中心;

    申请/专利号CN202110255495.2

  • 申请日2021-03-09

  • 分类号G01R31/265(20060101);

  • 代理机构11562 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王颖

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南二条1号

  • 入库时间 2022-08-23 12:34:59

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