具有外围晶体管的外延半导体基座的三维存储器器件

摘要

提供了一种制造存储器器件的方法，所述方法包括在半导体基板之上形成绝缘体层和间隔体材料层的第一交替堆叠体，蚀刻所述第一交替堆叠体以暴露单晶半导体材料，在所述单晶半导体材料上形成第一外延半导体基座，使得所述第一外延半导体基座与所述单晶半导体材料外延对齐，通过所述第一交替堆叠体形成存储器堆叠结构的阵列，以及在所述第一外延半导体基座之上形成至少一个半导体器件。