含有Ⅲ族元素基氮化物半导体的电子器件

摘要

一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式Al_xGa_1-xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式Al_yGa_1-yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃-1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃-800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5-20nm的厚度。