公开/公告号CN106477582B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-20
原文格式PDF
申请/专利权人 赫姆洛克半导体运营有限责任公司;
申请/专利号CN201610701107.8
申请日2016-08-22
分类号C01B33/035(20060101);
代理机构11262 北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人张瑞;郑霞
地址 美国密歇根州
入库时间 2022-08-23 12:20:57
机译: 补偿二氯硅烷以改善多晶硅生长的控制策略
机译: 二氯硅烷补偿控制策略提高多晶硅硅的生长
机译: 二氯硅烷补偿控制策略提高多晶硅硅的生长