机译:块状CMOS IC中用于栅极端漏电流补偿的第二层多晶硅结构
机译:使用25 wt%TMAH的CMOS兼容体微加工角补偿结构的实验研究和分析
机译:在亚微米CMOS和BICMOS技术中使用伪浮栅测试结构进行电容器精确匹配测量的新表征方法
机译:对20 nm前栅极和28 nm前栅极批量CMOS技术的比较失配研究
机译:具有NMOS混合栅极结构的高性能子35nm散装CMOS;掺杂剂限制层(DCL)/ PMOS; Ni-Fusi通过使用闪光灯退火(FLA)在Ni-ilication中
机译:表面和整体结构的CMOS后微加工。
机译:CMOS集成膜体声谐振器用于无标签生物传感
机译:块状CMOS IC中用于栅极端周围泄漏电流补偿的第二层多晶硅结构