公开/公告号CN111640834B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-13
原文格式PDF
申请/专利权人 佛山紫熙慧众科技有限公司;
申请/专利号CN202010560043.0
发明设计人 周启航;
申请日2020-06-18
分类号H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人陈志超;黄家豪
地址 528000 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙大道北广东省新光源产业基地A区7号楼一层102
入库时间 2022-08-23 12:17:55
机译: 这使得可以在晶体衬底上获得半导体-极性氮化物层,该半导体-极性氮化物由以下材料中的至少一种获得:镓(ga),铟(in)和铝(al。)
机译: 这使得可以在晶体衬底上获得半导体-极性氮化物层,该半导体-极性氮化物由以下材料中的至少一种获得:镓(ga),铟(in)和铝(al。)
机译: 在光电和电子设备的自支撑(铝,铟,镓)氮化物((Al,In,Ga)N)衬底上实现改善的外延质量(表面纹理和缺陷密度)的方法