Metal-organic chemical vapor deposition Epitaxy AlInN GaN;
机译:Ⅲ族源预流对金属有机化学气相沉积在氮化蓝宝石衬底上生长的GaN的极性,光学和结构性能的影响
机译:生长温度对c面蓝宝石上脉冲金属有机化学气相沉积生长的InAIN / GaN异质结构的结构和电性能的影响
机译:相邻的蓝宝石衬底对通过金属有机化学气相沉积法生长的N极GaN薄膜性能的影响
机译:等离子体辅助金属化学气相沉积法研究C面蓝宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的研究
机译:通过常压金属有机化学气相沉积法沉积的氮化铝薄膜的电,结构和光学性质。
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过金属有机化学气相沉积法在c面GaN衬底上生长的富铝AlInN的结构特性