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公开/公告号CN110071085B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-03
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201910394459.7
发明设计人 权兴奎;
申请日2016-03-24
分类号H01L23/488(20060101);H01L23/498(20060101);H01L23/525(20060101);H01L23/31(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人尹淑梅;韩明花
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2022-08-23 12:14:46
机译: 晶圆级堆叠芯片封装包括最上面的半导体芯片,该半导体芯片的内部连接端子倒装芯片连接到填充有导电填充材料的通孔中
机译: 半导体芯片,倒装芯片封装和晶圆级封装,包括相同的
机译: 半导体芯片和倒装芯片封装以及包括相同功能的晶圆级封装
机译:使用预先施加的各向异性导电膜(ACF)的晶圆级倒装芯片封装
机译:使用晶圆级芯片级封装在Si基板上生长的薄膜倒装芯片LED
机译:键合参数对柔性倒装芯片封装组件各向异性导电胶互连件可靠性性能的影响I.不同键合温度
机译:晶圆级倒装芯片封装封装RF MEMS可调电容器
机译:热循环下晶圆级芯片级封装(WCSP)的实验和仿真板级可靠性评估
机译:用于无线供电的神经接口系统的薄膜柔性天线和硅CMOS整流器芯片的协同设计方法和晶圆级封装技术
机译:倒装芯片功率MOSFET:新型晶圆级封装技术
机译:在具有最小化芯片封装尺寸的某些半导体芯片和含有相同产品的产品中。调查编号337-Ta-605。第2卷,共2页