一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法

摘要

本发明公开了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。