非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法

摘要

非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10^‑4Ω·cm以上且8.0×10^‑4Ω·cm以下，非晶质透明导电层的霍尔迁移率为15.0cm²/V·s以上且30.0cm²/V·s以下。