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Indium-cadmium-oxide films having exceptional electrical conductivity and optical transparency: Clues for optimizing transparent conductors

机译:具有出色的导电性和光学透明性的铟镉氧化物薄膜:用于优化透明导体的线索

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摘要

Materials with high electrical conductivity and optical transparency are needed for future flat panel display, solar energy, and other opto-electronic technologies. InxCd1-xO films having a simple cubic microstructure have been grown on amorphous glass substrates by a straightforward chemical vapor deposition process. The x = 0.05 film conductivity of 17,000 S/cm, carrier mobility of 70 cm2/Vs, and visible region optical transparency window considerably exceed the corresponding parameters for commercial indium-tin oxide. Ab initio electronic structure calculations reveal small conduction electron effective masses, a dramatic shift of the CdO band gap with doping, and a conduction band hybridization gap caused by extensive Cd 5s + In 5s mixing.
机译:未来的平板显示器,太阳能和其他光电技术需要具有高导电性和光学透明性的材料。通过简单的化学气相沉积工艺已经在非晶玻璃基板上生长了具有简单立方微观结构的InxCd1-xO膜。 x = 0.05的薄膜电导率为17,000 S / cm,载流子迁移率为70 cm 2 / Vs,可见光区的透光率窗口大大超过了商用氧化铟锡的相应参数。从头算电子结构计算显示出较小的传导电子有效质量,CdO带隙随掺杂的剧烈变化以及广泛的Cd 5s + In 5s混合引起的传导带杂化隙。

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