机译:电子隧穿通过透明导电氧化物中的晶界和导电性的影响:ZnO:Al薄膜的情况
Univ Grenoble Alpes CNRS Grenoble INP LMGP F-38000 Grenoble France;
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Univ Grenoble Alpes CEA LITEN INES F-73375 Le Bourget Du Lac France;
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Univ Grenoble Alpes CNRS Grenoble INP LMGP F-38000 Grenoble France;
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机译:电子隧穿通过透明导电氧化物中的晶界和导电性的影响:ZnO:Al薄膜的情况
机译:用于透明氧化物薄膜晶体管的高透明导电Al掺杂ZnO / Ag / Al掺杂ZnO多层源/漏电极
机译:用于硅基薄膜太阳能电池的带纹理的表面ZnO:B /(氢化镓掺杂的ZnO)和(氢化镓掺杂的ZnO)/ ZnO:B透明导电氧化物层
机译:通过高度透明的导电Ga掺杂的ZnO多晶膜的晶界载流子传输
机译:用于柔性电子产品的基于金属氧化物的透明导电氧化物和薄膜晶体管。
机译:薄膜太阳能电池应用中织构化的ZnO @ B透明导电氧化物中晶格应变松弛吸光度和薄层电阻对厚度的依赖性
机译:晶界势垒对氧化钛薄膜导电性的贡献