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非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法

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摘要

非晶质透明导电性薄膜在厚度方向依次具备透明基材和非晶质透明导电层。非晶质透明导电层由非晶质的铟锡复合氧化物形成。非晶质透明导电层的厚度为30nm以上且40nm以下，非晶质透明导电层的电阻率为6.0×10

1. 非晶质透明导电性薄膜、以及晶质透明导电性薄膜和其制造方法 [P] . 中国专利： CN108352218B . 2021.07.16
2. 具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法 [P] . 中国专利： CN103426974A . 2013-12-04
3. METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE AMORPHOUS FILM, AND THE TRANSPARENT CONDUCTIVE AMORPHOUS FILM [P] . 日本专利： JP2011210422A . 2011-10-20

机译：透明导电性非晶膜的制造方法及透明导电性非晶膜
4. Conductive particle, visible light transmissive particle dispersed conductor, method for producing same, transparent conductive thin film, method for producing same, transparent conductive article using same, and infrared shielding article [P] . AU2011253581B2 . 2015-05-07

机译：导电性粒子，可见光透射性粒子分散导体，其制造方法，透明导电性薄膜，其制造方法，使用该透明导电性薄膜的透明导电性物品以及红外线屏蔽物品
5. Conductive particle, visible light transmissive particle dispersed conductor, method for producing same, transparent conductive thin film, method for producing same, transparent conductive article using same, and infrared shielding article [P] . AU2011253581A1 . 2011-12-15

机译：导电性粒子，可见光透射性粒子分散导体，其制造方法，透明导电性薄膜，其制造方法，使用该透明导电性薄膜的透明导电性物品以及红外线屏蔽物品