法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/062 授权公告日:20090211 终止日期:20190310 申请日:20050310
专利权的终止
2017-12-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/062 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20050310
专利申请权、专利权的转移
2017-12-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/062 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20050310
专利申请权、专利权的转移
2017-12-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/062 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20050310
专利申请权、专利权的转移
2017-12-08
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/062 登记生效日:20171117 变更前: 变更后: 申请日:20050310
专利申请权、专利权的转移
2009-02-11
授权
授权
2009-02-11
授权
授权
2009-02-11
授权
授权
2007-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-06-13
公开
公开
2007-06-13
公开
公开
2007-06-13
公开
公开
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机译: 金属氧化物半导体器件结构的制造方法及由此形成的金属氧化物半导体器件结构
机译: 金属氧化物半导体器件结构的制造方法及由此形成的金属氧化物半导体器件结构
机译: 形成例如多晶硅的三维多晶硅结构的制造方法。互补金属氧化物半导体存储器件,涉及构成基层以形成多晶硅结构的上层