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陈旭方; 樊社民; 宋友林; 贾瑜; 姚乾凯;
郑州大学物理工程学院;
河南石油勘探局石油勘探开发研究院;
河南教育学院物理系;
紧束缚计算; 高弥勒指数表面; 表面态和表面共振态; Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物;
机译:紧密封端的GaAs(311)A和B表面电子态的紧束缚计算
机译:液态和非晶态金属的电子结构和电阻率的紧束缚计算
机译:第一性原理研究半导体表面的电子结构和光学特性的统一方法,用于精确计算量子角动量的耦合系数。
机译:具有偶极矩和旋转振动的电子结构硫族元素镉CdX(X = SeTe)的计算
机译:III-V和II-VI中的电子结构和量子尺寸效应 使用真实的紧束缚方法的半导体纳米晶体
机译:从原子论的角度计算纳米电子器件:半导体异质结构的经验紧束缚模型
机译:微电子结构的制造方法,包括制备具有半导体材料表面的施主衬底,在表面上形成涂层,并将该层的自由表面分子安装在受体衬底的表面上。
机译:确定电子结构使用寿命的装置,例如电气转换器,具有计算单元,可根据确定的温度和电子结构的电气尺寸来计算电子结构的使用寿命
机译:III族氮化物半导体表面处理方法,III族氮化物半导体及其制造方法以及III族氮化物半导体结构
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