金属氧化物半导体光电探测器新结构研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 宽禁带氧化镓简介

1.3 研究工作的背景与意义

1.4.1 不同掺杂氧化镓薄膜的现状

1.4.2 不同衬底制备氧化镓薄膜的现状

1.5 本文的主要研究内容

第二章 实验设备及表征理论基础

2.1 实验设备简介

2.1.1 分子束外延设备

2.1.2 电子束蒸发设备

2.2 氧化镓薄膜表征方法简介

2.2.1 X射线衍射分析（XRD）

2.2.2 透射电子显微镜（TEM）

2.3.1 结构和原理

2.3.2 光电性能参数分析

2.3.3 光电性能测试系统

2.4 本章小结

第三章 β-Ga2O3/Sn:β-Ga2O3/β-Ga2O3三明治结构光电探测器研制

3.1 三明治结构氧化镓薄膜的生长

3.2 三明治结构氧化镓MSM光电探测器的制备

3.3 缓冲层和绝缘层对三明治结构光电探测器性能的影响

3.3.1 I-V特性

3.3.2 时间响应特性

3.4 本章小结

第四章 基于c面和r面蓝宝石衬底的β-Ga2O3光电探测器的研制

4.1 c面和r面蓝宝石上氧化镓薄膜的生长

4.2 c面和r面蓝宝石上氧化镓MSM光电探测器的制备

4.3 c面和r面蓝宝石衬底对氧化镓薄膜的晶体质量的影响

4.4 衬底温度对c面和r面蓝宝石生长氧化镓光电探测器性能的影响

4.4.1 I-V特性

4.4.2 时间响应特性

4.4.3 光谱响应特性

4.5 本章小结

第五章 全文总结与展望

5.1 全文总结

5.2 后续工作展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果