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公开/公告号CN110817881B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院广州地球化学研究所;
申请/专利号CN201911193255.3
发明设计人 朱润良;陈情泽;杜静;何宏平;朱建喜;何秋芝;杨奕煊;魏洪燕;
申请日2019-11-28
分类号C01B33/021(20060101);C01B33/06(20060101);
代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人刘兰
地址 510000 广东省广州市天河区科华街511号
入库时间 2022-08-23 12:02:30
机译: 碳化硅半导体器件,其制造方法,过渡金属硅化物及其金属膜之间的结的制造方法以及过渡金属硅化物及其金属膜之间的结的制造方法
机译: 碳包封的过渡金属氧化物纳米复合材料,其制备方法及其在锂离子电池中的应用
机译: 例如用作半导体器件的制造。光电管,包括在接受体结构上提供晶体硅层,在晶体硅部分形成金属硅化物,以及将金属硅化物和蚀刻成金属硅化物
机译:二元过渡金属硅化物中过渡金属-硅的距离和化学键的类型分析
机译:金属硅化物包裹体界面和形状对硅纳米复合材料热输运的影响
机译:金属硅化物夹杂物夹杂物夹层对硅纳米复合材料热传输的影响
机译:激光烧蚀制成硅丝金属硅化物结晶的纳米复合材料
机译:基于M(5)-硅(M =钛,铌,钼)的过渡金属硅化物,用于高温应用。
机译:金属硅化物/多硅肖特基二极管用于未冷却的微辐射热计
机译:金属硅相互作用:过渡金属硅化物的电子结构作为金属硅界面研究的基础