半色调相移光掩模坯、制造方法和半色调相移光掩模

摘要

在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。