公开/公告号CN109587417B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 上海集成电路研发中心有限公司;
申请/专利号CN201811509287.5
申请日2018-12-11
分类号H04N5/374(20110101);H04N5/378(20110101);H01L27/146(20060101);H04N13/204(20180101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;陈慧弘
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
入库时间 2022-08-23 11:58:10
机译: DRAM 3共聚焦3D口腔内扫描仪,使用具有即时高速捕获功能的图像传感器和堆叠式DRAM缓冲器
机译: DRAM 3共聚焦3D口腔内扫描仪,使用具有即时高速捕获功能的图像传感器和堆叠式DRAM缓冲器
机译: 利用层转移技术制造硅/电多层半导体结构的方法,以及使用同一方法的三维多层半导体器件和叠层型图像传感器的制造方法,以及一种多层制造方法设备和堆叠式图像传感器