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与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管

摘要

本发明涉及与扩散区域完全自对准的异质结双极晶体管。实施例提供一种用于制造双极结型晶体管的方法。所述方法包括:提供具有沟槽隔离的半导体衬底,其中通过制造沟槽隔离而获得的衬垫被布置在半导体衬底上;在半导体衬底和衬垫上提供隔离层,以使得衬垫被隔离层覆盖;去除隔离层直至衬垫;以及选择性地去除衬垫,以获得发射极窗口。

著录项

  • 公开/公告号CN107527812B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司;

    申请/专利号CN201710456658.7

  • 发明设计人 C.达尔;D.A.楚马科夫;

    申请日2017-06-16

  • 分类号H01L21/331(20060101);H01L29/737(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人申屠伟进;杜荔南

  • 地址 德国德累斯顿

  • 入库时间 2022-08-23 11:56:16

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