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公开/公告号CN111628000B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉大学;
申请/专利号CN202010371602.3
发明设计人 胡耀武;程佳瑞;何亚丽;黄正;
申请日2020-05-06
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/40(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人石超群
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2022-08-23 11:53:49
机译: 形成微米级和纳米级图案的方法以及制备微米级和纳米级沟道晶体管的方法,以及使用该方法的微米级和纳米级沟道发光晶体管
机译: 用于测量背照的设备和方法,能够通过使用中子光或X射线来测量背照到亚秒或亚纳米级
机译: 异外延结构及其制备方法,包含异外延结构的金属层压产品及其制备方法,纳米级电极和纳米级电极的制备方法
机译:归因于背栅阶跃电位的纳米级双栅绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道效应减小
机译:具有高k /金属栅叠层的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子电子散射诱导沟道热电子注入
机译:具有纳米线沟道和背栅几何形状的陡峭亚阈值斜率纳米机电场效应晶体管
机译:新型纳米级铂电极的制备和表征。
机译:通过原子层δ掺杂和沉积制备具有金属超薄TiN基沟道的室温场效应晶体管
机译:背栅对石墨烯场效应晶体管中接触电阻和沟道电导的影响
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管