公开/公告号CN108831922B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 大连芯冠科技有限公司;
申请/专利号CN201810567839.1
发明设计人 王荣华;
申请日2018-06-05
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/10(20060101);
代理机构21220 大连非凡专利事务所;
代理人闪红霞
地址 116023 辽宁省大连市高新技术产业园区信达街57号工业设计产业园7号楼
入库时间 2022-08-23 11:49:26
机译: 具有基于GaAa或GaN的保护二极管的GaAs GaN场效应晶体管
机译: 具有栅极间隔物的增强模式GaN HEMT器件及其制造方法
机译: 具有栅极间隔物的增强模式GaN HEMT器件及其制造方法