具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件及制备方法

摘要

本发明公开一种可提高开关速度或极限截止频率的具有GaAs和GaN复合沟道的GaN HEMT器件，由下至上依次为衬底、缓冲层、GaN沟道层及InxAlyGa1‑x‑yN势垒层，在有源区有源电极、漏电极及有栅电极，漏电极下方有从InxAlyGa1‑x‑yN势垒层向下深及InxAlyGa1‑x‑yN沟道层或InxAlyGa1‑x‑yN缓冲层的纵向槽，在纵向槽内由下至上依次有InmAlnGa1‑m‑nAs缓冲层、InmAlnGa1‑m‑nAs沟道层及InmAlnGa1‑m‑nAs势垒层。