通过离子注入产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅结构的方法

摘要

本发明涉及一种用于产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅(SOI)结构的方法，其中硅衬底经受理想析出晶片热处理，所述理想析出晶片热处理使衬底能在基本上是任何任意的电子器件制造工艺热处理周期过程中形成一种理想氧析出物非均匀深度分布，及其中介电层通过在表面下方注入氧或氧离子、或分子氧并使晶片退火而在晶片表面的下方形成。此外，硅片可以开始包括一个外延层，或者可以在本发明的方法过程中在衬底上淀积外延层。