公开/公告号CN100444388C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-17
原文格式PDF
申请/专利权人 尔必达存储器株式会社;
申请/专利号CN200610089841.X
发明设计人 山崎靖;
申请日2006-05-24
分类号H01L27/108(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/8242(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人杨林森;谷惠敏
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 09:01:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/108 授权公告日:20081217 终止日期:20160524 申请日:20060524
专利权的终止
2013-09-18
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/108 变更前: 变更后: 登记生效日:20130828 申请日:20060524
专利申请权、专利权的转移
2013-09-18
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/108 变更前: 变更后: 登记生效日:20130828 申请日:20060524
专利申请权、专利权的转移
2008-12-17
授权
授权
2008-12-17
授权
授权
2007-01-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-01-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-11-29
公开
公开
2006-11-29
公开
公开
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机译： 以及制造包括具有凹沟道结构的单元晶体管的半导体器件的方法
机译： 包括具有较高工作速度的包括凹沟道阵列MOSFET的半导体器件的制造方法
机译： 具有不对称沟道区的晶体管，包括该晶体管区的半导体器件以及包括该晶体管的半导体器件的制造方法
