声明
摘要
主要名词缩写
1．1研究背景
1．2新型半导体材料光电探测器
1．2．1二维材料及其光电子器件的研究进展
1．2．2钙钛矿材料及其光电子器件的研究进展
1．3本文的研究内容、创新性与意义
第二章实验所用仪器设备
2．1二维材料的生长
2．1．1电子束蒸发镀膜仪
2．1．2CVD管式炉
2．2器件的制备
2．2．1超声波清洗机
2．2．2偏光显微镜
2．2．3退火炉
2．2．4匀胶机和烘干台
2．3材料表征
2．3．1拉曼光谱仪
2．3．2原子力显微镜
2．3．3扫描电子显微镜
2．3．4台阶仪
2．4电学和光电性能测试
2．4．1探针台、源表
2．4．2激光器、衰减玻片
第三章高性能多层InSe晶体管光电探测器的研究
3．1引言
3．2材料与方法
3．2．1实验方案设计
3．2．2InSe FEI的制备
3．2．3器件性能的测量
3．3结果与讨论
3．3．1InSe器件的材料表征
3．3．2未封装的InSe器件的电学特性
3．3．3未封装的InSe器件的光电特性
3．3．4正负光电效应的理论分析
3．3．5通过封装消除InSe FET的负光电效应
3．3．6InSe FET光探测性能
3．4小结
第四章隧穿效应增强CsPbBr3／HfO2／Si异质结光电子器件的研究
4．1引言
4．2钙钛矿材料和器件的制备与方法
4．2．1钙钛矿材料制备及其表征
4．2．2基于钙钛矿异质结光电探测器的制备
4．2．3器件性能的测量
4．3结果与讨论
4．3．1材料和器件表征
4．3．2CsPbBr3／HfO2／Si器件的电学特性
4．3．3CsPbBr3／HfO2／Si器件的光电特性
4．3．4CsPbBr3／SiO2／Si 器件的电学和光电特性
4．3．5两种结构的CsPbBr3器件光电性能的对比
4．3．6光电性能增强的理论解释
4．4小结
第五章PtS2材料生长及其光电探测器性能的研究
5．1引言
5．2材料与方法
5．2．1实验方案设计
5．2．2基于PtS2的器件的制备
5．2．3PtS2光电探测器性能的测量
5．3结果与讨论
5．3．1材料和器件表征
5．3．2PtS2器件的电学和光电特性
5．3．3PtS2器件在不同衬底上的光电特性的对比
5．3．4光电性能不同的理论解释
5．4小结
6．1主要的研究结论
6．2展望
参考文献
致谢
攻读学位期间的科研成果
山东大学;
