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一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器

摘要

本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜,绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜,窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜;窄带隙氮化硼薄膜中埋设有两个栅状Ti金属电极;通过调节窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜的带隙以及两者之间的带隙差,在深紫外波段调节探测器的响应波长。本发明通过带隙不同的氮化硼层状结构,实现了单色光响应,探测效果好,单色性好,可以简单实现探测器响应波长和响应带宽,提高了电极对光生载流子的收集能力。

著录项

  • 公开/公告号CN110808296B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201911007238.6

  • 申请日2019-10-22

  • 分类号H01L31/0304(20060101);H01L31/103(20060101);H01L31/18(20060101);G01J1/42(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林超

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 11:41:38

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