金属-半导体-金属(MSM)结构4H-SiC紫外光电探测器的研制

摘要

MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视。本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM 4H—SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性。结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15V的时候,漏电流密度约为70 nA/cm2,光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380 nm的比值约为1000倍,说明该探测器具有良好的紫外可见比。