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陈小红; 蔡加法; 程翔; 邓彩玲; 陈松岩;
厦门大学物理学系;
厦门大学机电工程系;
GaN; 金属-半导体-金属(MSM)结构; 紫外探测器;
机译:穿线脱位和点缺陷在GaN的金属半导体 - 金属紫外光探测器性能下的作用
机译:在氢化物气相外延生长的半绝缘GaN:Fe模板上直接制造的金属半导体金属紫外光电探测器
机译:使用微加工和纳米光刻技术制造的正面和背面照明的GaN / Si基金属-半导体-金属紫外光电探测器
机译:改变金属-半导体-金属几何形状的GaN基选择性紫外光电探测器的性能评估
机译:氮化镓上的超快金属-半导体-金属紫外光电探测器。
机译:基于MgZnO的金属-半导体-金属紫外光电探测器上的纳米网电极
机译:通过插入超薄界面HfO2层来增强GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的性能
机译:用于金属半导体金属(msm)光电探测器的硫注入黑硅。
机译:利用金属岛制造半导体外延层的方法以制造高品质GaN LED或GaN激光二极管
机译:半导体器件中的金属线形成方法,包括执行蚀刻工艺以形成金属熔丝,该金属熔丝的一侧连接到金属线,另一侧连接到衬底,并且将金属线和金属熔丝电隔离。
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