CMOS工艺中的硅上锗激光器

摘要

本发明涉及一种形成锗波导的方法，包括步骤：提供P型硅衬底(1)，采用重掺杂N型锗层(3)并采用第一N型掺杂硅层(5)涂覆；形成穿透至衬底中的沟槽(7)以形成衬底条带、锗条带、以及第一硅条带(5)的堆叠；以及采用氮化硅层(9)涂覆整个结构。