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激光退火方法、激光退火装置以及薄膜晶体管的制造方法

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本发明涉及一种激光退火方法，用激光(L)照射覆盖于基板(5)上的非晶体硅薄膜(7)而形成多晶硅，其中，变更上述激光(L)照射到上述非晶体硅薄膜(7)上的照射区域来多重照射，产生多晶硅的晶粒直径沿着上述激光(L)的照射区域的至少中心线(C)从中央部朝向侧端部变小的粒径分布。由此，能够实现能够通过简单的工序减少漏电电流的激光退火方法。

著录项

公开/公告号CN107615451B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社V技术;
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申请/专利号CN201680028396.8
发明设计人水村通伸;
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申请日2016-05-13
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/268(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/786(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人舒艳君;李洋
地址日本神奈川县
入库时间 2022-08-23 11:37:41

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