用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构

摘要

本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的电极配置结构，其中：电极配置结构包括上层电极材料层、中间相变材料层、下层电极材料层；上层电极材料层包括外环电极和内部源端电极，上层电极材料层和下层电极材料层为非对称上下电极结构，水平投影为相交关系。在同一个单元中，同时构造了两种电极配置方式，在高阻非晶化过程中，采用水平工作模式，显著降低等效阻值R，读取电流增大，便于进行正确读取；在低阻晶化过程中，采用垂直工作模式，增大了等效阻值R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命；因此平衡了纳米级相变材料的两相阻值的悬殊差异，简化并统一了外部接入电路。