用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构

摘要

本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构，其中：垂直电极配置结构包括上层电极材料层、中间相变材料层、下层电极材料层；上层电极材料层和下层电极材料层为非对称上下电极结构，可进行源漏端交换；下层电极材料层的侧方、中间相变材料层的下方配置有绝缘介质保护层。对于低阻晶态，通过构造非对称的上下电极结构，相比较于正对垂直电极结构，增大了等效电阻R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命。同时，非正对面积分量分流了串联通路电流，增大串联过程电流扩散，也使得工作电流减小，工作电流越小，亚稳态的晶相结构越不容易被击穿。