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公开/公告号CN108122963B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;
申请/专利号CN201711400517.X
发明设计人 陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇;
申请日2017-12-22
分类号H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);
代理机构50201 重庆大学专利中心;
代理人王翔
地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2022-08-23 11:31:37
机译: 电子开关例如绝缘栅双极型晶体管,一种开关方法,涉及增加和/或减小开关的控制端的电势,使其基于初始条件达到目标电势,并超过目标电势
机译: 限制可开关功率半导体开关集电极上的电势的方法绝缘栅双极型晶体管(IGBET),MOSFET,晶闸管的硬驱动栅匝(HDGTO)等到预设值
机译: 横向绝缘栅双极型晶体管及其配置方法,能够控制从集电极注入的空穴电流的路径
机译:一种新的故障电流感应方案,用于绝缘栅双极型晶体管的快速故障保护
机译:小型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,可提供更大的正向偏置安全工作区域并降低关断能量
机译:提取增强型横向绝缘栅双极晶体管:一种超高速横向绝缘栅双极晶体管,优于横向双管扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:绝缘栅双极型晶体管导通di / dt和关断du / dt的闭环控制方法
机译:用于磷化铟的自对准绝缘栅FET技术:一种界面工程方法。
机译:并五苯薄膜晶体管栅绝缘子的聚(4-乙烯基苯酚)交联过程的快速低功率微波感应加热方案研究
机译:一种快速开关绝缘栅p-I-N二极管控制晶闸管结构
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。