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一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明公开了一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管,包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区,其特征在于:所述SOI衬底包括埋氧层、衬底层和顶硅层。所述埋氧层覆盖于衬底层之上。所述顶硅层位于埋氧层之上。一种电势控制快速横向绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶硅层中形成。所述漂移区贴附于埋氧层的上方,所述漂移区由N基区构成。所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧。所述栅极区贴附于阴极区上方。

著录项

  • 公开/公告号CN108122963B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆大学;

    申请/专利号CN201711400517.X

  • 发明设计人 陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇;

    申请日2017-12-22

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);

  • 代理机构50201 重庆大学专利中心;

  • 代理人王翔

  • 地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

  • 入库时间 2022-08-23 11:31:37

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