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用于化学机械抛光的对准主动护圈表面与晶片表面的设备和方法

摘要

减小化学机械抛光后的晶片边缘的边缘轮廓与边缘内的化学机械抛光后的晶片中心部分的中心轮廓之间的差异的化学机械抛光系统和方法。将晶片安装到晶片载体的载体表面上,使晶片旋转轴装在万向架上,以便晶片旋转轴相对晶片主轴的旋转主轴轴线能全方位运动。护圈将晶片在载体表面上的运动限制为垂直于晶片轴的方向。护圈安装在晶片载体上并可相对于晶片载体运动。直线轴承由轴承座和轴构成,使得晶片载体与护圈之间允许的运动方向只是平行于晶片轴的运动,因而晶片平面与护圈可以共平面。

著录项

  • 公开/公告号CN100406199C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰姆研究有限公司;

    申请/专利号CN02807596.X

  • 发明设计人 M·A·萨尔达纳;D·V·威廉斯;

    申请日2002-03-28

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人肖春京

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-06-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B24B 37/04 授权公告日:20080730 终止日期:20100328 申请日:20020328

    专利权的终止

  • 2009-07-15

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20090605 申请日:20020328

    专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

  • 2008-07-30

    授权

    授权

  • 2004-08-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-05-26

    公开

    公开

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