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Lokale Plasma-Behandlung in einem Mask Aligner zur selektiven Veranderung der Oberflache von Wafern

机译:掩模对准器中的局部等离子体处理,用于选择性地改变晶片表面的表面

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摘要

Plasma-Vorbehandlungen zum Direct Wafer Bonding bei niedrigen Temperaturen sind weltweit angewandte Verfahren, bei denen die Oberflache eines Wafers vollstandig einem Plasma ausgesetzt wird. Das Fraunhofer-Institut fur Schichtund Oberflachentechnik IST und die SUSS MicroTec GmbH haben gemeinsam ein Verfahren zur selektiven Plasma- Behandlung entwickelt, mit dem mikrometerkleine Bereiche von Waferoberflachen ortsselektiv aktiviert oder mit funktionalen Schichten versehen werden konnen. Dadurch bieten sich neue Gestaltungsmoglichkeiten bei MEMS/MST Anwendungen. Der Plasmaprozess dauert fur alle Wafergrossen weniger als eine Minute. Das Verfahren wird technisch mit einer dunnen Flachenelektrode realisiert, welche in einem Mask Aligner angeordnet ist. Hierbei sind die wesentlichen mechanischen Prazisionsparameter des Aligners von besonderem Vorteil. SUSS MicroTec befasst sich mit der Entwicklung des patentierten Verfahrens zur industriellen Reife und der Integration des sogenannten Plasma Tooling als Upgrade Kit fur neue und gebrauchte Aligner von SUSS. In dieser Abhandlung werden der neue Prozess und die Vorrichtung vorgestellt.
机译:在低温下对直接晶片键合的等离子体预处理在全球范围内使用,其中晶片的表面完全暴露于等离子体。 Fraunhofer层和表面技术和Suss Microtec GmbH共同开发了一种选择性等离子体处理方法,可以用功能层激活或提供具有功能层的功能层的选择性等离子体处理方法。这为MEMS / MST应用提供了新的设计可能性。所有晶片参数的等离子体过程需要小于一分钟。技术地用布置在掩模对准器中的DUN平电极技术实现该方法。以下是特定优势对准器的基本机械精密参数。 Suss Microtec涉及开发工业成熟度的专利程序,以及所谓的等离子工具的集成作为SUSS的新和使用对准器的升级套件。在本文中,呈现了新的过程和设备。

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