过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法

摘要

本发明涉及一种过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法，包括：1)真空环境下，在过渡金属衬底上生长氮化硼或石墨烯；2)利用物理气相沉积的方法将硒沉积到氮化硼或石墨烯表面上；3)退火处理使得表面硒插层到氮化硼或石墨烯结构以下并与金属衬底表面反应形成层状过渡金属硫属化合物；4)最终形成氮化硼(或石墨烯)/过渡金属硫属化合物的异质结构。这种自上而下的两维材料异质结制备方法，简单易行，结构易于控制，可以扩展到其他的硫属元素，并适用于所有过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备，为后续电子器件的制备和研究奠定了良好的基础。