二维过渡金属硫属化合物的大面积制备与应用研究进展

摘要

二维过渡金属硫属化合物(TMDs)因具有可调带隙、谷电子学性质和高催化活性等优点,在电子学、光电子学和能源相关领域受到广泛关注.为了实现以上应用,实现大面积、厚度均匀TMDs薄膜的批量制备至关重要.化学气相沉积法(CVD)是制备大面积均匀、高质量二维材料普遍使用的方法.本文从前驱体的供给和衬底的设计两个角度,总结了目前合成大面积TMDs薄膜的CVD方法,并讨论了高质量TMDs的生长机制和参数优化方法;介绍了高质量TMDs在电子学、光电子学和电/光催化等方面的应用;讨论了目前合成大面积均匀、高质量TMDs所面临的挑战,并对该领域的发展方向进行了展望.