一种双大马士革结构的形成方法

摘要

本发明提供一种双大马士革结构的形成方法，步骤包括：在镶嵌有金属结构的半导体结构的表面依次形成阻挡层、低介电常数层、第一缓冲层、硬质掩膜层及第二缓冲层；刻蚀所述第二缓冲层和所述硬质掩膜层以形成第一沟槽；刻蚀所述第一缓冲层和所述低介电常数层形成第一通孔；继续向下刻蚀所述低介电常数层形成第二通孔；对所述第一通孔和所述第二通孔进行一体化刻蚀，形成第二沟槽；打开所述阻挡层露出所述金属结构，形成双大马士革结构。进行两次局部的通孔刻蚀，可以很好解决刻蚀引起的负载效应，改善双大马士革刻蚀缺陷，从而能够有效改善双大马士革形貌。进一步的，一体化刻蚀形成的第二沟槽更有利于后续的铜填充，提高了双大马士革结构的可靠性。