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DUAL DAMASCENE INTEGRATION STRUCTURES AND METHOD OF FORMING IMPROVED DUAL DAMASCENE INTEGRATION STRUCTURES

机译:双大马士革集成结构和形成改进的双大马士革集成结构的方法

摘要

Methods of densifying a porous ultra-low-k (ULK) dielectric material by using gas-cluster ion-beam processing are disclosed. Methods for gas-cluster ion-beam etching, densification, pore sealing and ashing are described that allow simultaneous removal of material and densification of the ULK interfaces. A novel ULK dual damascene structure is disclosed with densified interfaces and no hard-masks.
机译:公开了通过使用气体团簇离子束处理来致密化多孔超低k(ULK)电介质材料的方法。描述了用于气体团簇离子束蚀刻,致密化,孔密封和灰化的方法,其允许同时去除材料和致密化ULK界面。公开了具有致密化的界面并且没有硬掩模的新颖的ULK双镶嵌结构。

著录项

  • 公开/公告号US2009130861A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JOHN J. HAUTALA;GREG BOOK;

    申请/专利号US20080246352

  • 发明设计人 JOHN J. HAUTALA;GREG BOOK;

    申请日2008-10-06

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:34:03

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