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测量薄膜、测量薄膜的制造方法、平面应变场测量方法

摘要

本发明公开了一种测量薄膜、测量薄膜的制造方法、平面应变场测量方法。该测量薄膜包括:传感层,设置有多个传感器,其中,多个传感器的布局根据待测平面确定;引线层,设置有引线,引线用于实现传感器与后端采集电路的连接。通过本发明,达到了对二维平面进行实时应变场测量的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN109959358B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳光启超材料技术有限公司;

    申请/专利号CN201711408348.4

  • 发明设计人 不公告发明人;

    申请日2017-12-22

  • 分类号G01B21/32(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人赵囡囡

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新中一道9号软件大厦二层

  • 入库时间 2022-08-23 11:18:02

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