超结器件的制造方法及超结器件

摘要

本申请涉及一种超结器件的制造方法及超结器件，所述方法包括：于第一导电类型的外延层的上表面形成图形化掩膜层；基于所述图形化掩膜层刻蚀所述第一导电类型的外延层，以于所述第一导电类型的外延层内形成沟槽；于所述沟槽内形成第二导电类型的外延层并使其上表面低于所述图形化掩膜层的上表面且高于所述第一导电类型的外延层的上表面；热氧化所述图形化掩膜层下方的所述第一导电类型的外延层的上表面以及所述第二导电类型的外延层的上表面，以形成氧化层；去除所述图形化掩膜层和所述氧化层。本申请使得沟槽交界处的上表面弯曲度更小，超结器件的上表面更平坦，在提高了器件可靠性的同时降低了生产成本及工艺复杂度。