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公开/公告号CN100405558C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 克里公司;
申请/专利号CN03820297.2
发明设计人 A·W·萨克斯勒;M·K·达斯;
申请日2003-08-25
分类号H01L21/314(20060101);H01L21/04(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人范赤;段晓玲
地址 美国北卡罗来纳州
入库时间 2022-08-23 09:00:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-07-23
授权
2005-11-30
实质审查的生效
2005-10-05
公开
机译: SIO 2 / SIC结构中界面态的氮钝化
机译: SiO 2 Sub> / SiC结构中界面态的氮钝化
机译:氮钝化对SiO_2 / SiC(4H)结构界面组成和物理应力的影响
机译:氮钝化前后4H-SiC / SiO_2结构的总近界面陷阱密度计算
机译:电子回旋共振氢氮混合等离子体预处理SiC表面并结合后氧化退火钝化SiO2 / 4H-SiC界面缺陷
机译:用振动总和频率研究氧化态界面上催化,相关有机分子在纯净,二元和三元液体混合物中的取向和结构
机译:解开介孔SiO2中的界面相互作用用于光催化活性的中孔SiO2中的介孔SiO 2中镍硅酸盐/ TiO2核壳纳米结构
机译:应变对凝结生长具有纳米GexSi1-x层的SiO2 / GexSi1-x / SiO2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:4H-碳化硅导电带边缘附近界面态的氮钝化