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具有分形结构的SiC/SiO_2界面的粗糙散射

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摘要

用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度Δ,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.

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来源
《计算物理》 |2004年第4期|311-315|共5页
作者
陈文建; 谢家纯; 徐军; 胡林辉; 董晓波;
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作者单位

中国科学技术大学物理系;

安徽合肥230026;

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正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
分形结构; 碳化硅; 二氧化硅; 界面粗糙散射; MOSFET; 半导体材料;

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